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Hochvolt IGBT-Module
Sperrspannung zwischen 1700 und 6500
Hochvolt-IGBT-Module (HVIGBT) sind essenzielle Bausteine in leistungselektronischen Anwendungen, insbesondere dort, wo hohe Spannungen und Ströme beherrscht werden müssen. Diese Module decken ein breites Spektrum an Sperrspannungen von 1700 bis 6500 Volt ab und bieten je nach Ausführung Nennströme zwischen 200 und 2400 Ampere. Besonders hervorzuheben ist die X-Serie, die Halbbrücken-Module mit Sperrspannungen bis zu 6500 Volt und Strömen bis 1200 Ampere umfasst. In diesen Modulen kommen modernste IGBT-Chips der 7. Generation zum Einsatz, die in einem kompakten Gehäuse mit den Maßen 100 x 140 x 40 mm und Aluminium-Baseplate untergebracht sind.
Das Design der Hochvolt-IGBT-Module zeichnet sich durch höchste Zuverlässigkeit und Robustheit aus. Optimierte Materialien und Fertigungsprozesse sorgen für eine verbesserte Stromwechselfähigkeit, was die Langlebigkeit und Belastbarkeit der Module deutlich erhöht. Ergänzt wird dies durch strengste Qualitätskontrollen, die sowohl statische als auch dynamische Schalttests umfassen, um eine gleichbleibend hohe Performance sicherzustellen.
Ein besonderes Merkmal der 1,7-kV-HVIGBT-Module ist der Einsatz der Light Punch Through Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor (ÖPT-CSTBT™)-Technologie in Kombination mit einem neuen Freilaufdiodendesign. Diese Kombination ermöglicht deutlich reduzierte IGBT-Schaltverluste und minimiert gleichzeitig Diodenschwingungen – ein klarer Vorteil für den effizienten und störungsarmen Betrieb in anspruchsvollen Anwendungen. HVIGBT- und HVDIODE-Module sind somit optimal aufeinander abgestimmt und bieten eine flexible Lösung für Multilevel-Wechselrichter und andere Hochspannungsanwendungen.
- Highest Reliability in Material and Processes: Improvement of power cycling capability
- High robust design
- Highest Quality Contols: Static and switching test
- 100% shipping inspection
- HVIGBT and HVDIODE modules are available in rated volatages of 1,7kV, 2,5kV, 3,3kV, 4,5kV, 6,5kV and rated currents ranging from 200A to 2400A
- 1,7kV HVIGBT modules with Light Punch Through Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor (ÖPT-CSTBT(TM) technology and a new free-wheel diode design for reduced IGBT losses and suooressed diode oscillation
- 3,3kV, 4,5kV, 6,5kV HVIGBT modules and diodes with 10,2kV isolated package available
- New 3,3kV, 4,5kV, 6,5kV R-series IGBT Modules
- Increased rated current and low loss performance
- Increased rated torque capability to 22Nm
- 10,2kV high isolation package available on request
- Extended operating temperature and minimum storage temperature up to 150°C and -55°C respectively
- High Robustness (Wide SOA)
- New 1,7kV 1200A Dual Hybrid SiC Module
- New 6th Generation IGBT chip, CSTB(TM) (III)
- Extended maximum operation temperature and minimum storage temperature up to 150°C and -50°C respectively
- SiC Schottky-Barrier Diode
Mitsubishi Electric ist Technologieführer im Bereich der IGBT-Module - mittlerweile in der 7. Generation - und Intelligenten Power-Module (IPM). Der kompakte Aufbau bietet gerade für raue Umgebungsbedingungen wie in der Antriebstechnik deutliche Vorteile.
