Hochvolt (HV) IGBT- und Dioden-Module
Module mit einer Sperrspannung zwischen 1700 und 6500 V. Die IGBT-Module von Mitsubishi weisen eine ausgereifte Chip-Technologie auf. Die CSTBT (Carrier Stored Bipolar Transistor) Technologie wurde von Mitsubishi entwickelt und wird in allen neuen IGBT-Modulen eingesetzt. Mit Hilfe dieses Chipaufbaus konnte Mitsubishi bei gleicher Stromtragfähigkeit die Durchlass- und Schaltverluste im Chip verringern. Die Gehäuseformen sind auf Minimierung der parasitären Effekte optimiert. Das durchdachte Konzept zwischen Chip und Gehäuse bietet in der Anwendung viele Vorteile, zu denen insbesondere die Zuverlässigkeit und die extrem hohe Lastwechselhäufigkeit gehören.
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