Merkliste
Ihre Merkliste ist leer
Hochvolt IGBT-Module
Module mit einer Sperrspannung zwischen 1700 und 6500 V.
Neu hinzugekommen: Die X-Serie mit den IGBT-Modulen der 7. Generation, zu der LV100 sowie HV100 zählen. Die X-Serie bietet Halbbrücken-Module bis 6500 V sowie 1200 A mit IGBT-Chips der 7. Generation in einem nur 100 x 140 x 40 mm großen Gehäuse mit Aluminium-Baseplate.
- Highest Reliability in Material and Processes:
Improvement of power cycling capability - High robust design
- Highest Quality Contols:
- Static and switching test
- 100% shipping inspection - HVIGBT and HVDIODE modules are available in rated volatages of 1,7kV, 2,5kV, 3,3kV, 4,5kV, 6,5kV and rated currents ranging from 200A to 2400A
- 1,7kV HVIGBT modules with Light Punch Through Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor (ÖPT-CSTBT(TM) technology and a new free-wheel diode design for reduced IGBT losses and suooressed diode oscillation
- 3,3kV, 4,5kV, 6,5kV HVIGBT modules and diodes with 10,2kV isolated package available
- New 3,3kV, 4,5kV, 6,5kV R-series IGBT Modules
- Increased rated current and low loss performance
- Increased rated torque capability to 22Nm
- 10,2kV high isolation package available on request
- Extended operating temperature and minimum storage temperature up to 150°C and -55°C respectively
- High Robustness (Wide SOA) - New 1,7kV 1200A Dual Hybrid SiC Module
- New 6th Generation IGBT chip, CSTB(TM) (III)
- Extended maximum operation temperature and minimum storage temperature up to 150°C and -50°C respectively
SiC Schottky-Barrier Diode
Mitsubishi Electric ist Technologieführer im Bereich der IGBT-Module - mittlerweile in der 7. Generation - und Intelligenten Power-Module (IPM). Der kompakte Aufbau bietet gerade für raue Umgebungsbedingungen wie in der Antriebstechnik deutliche Vorteile.
