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Super Mini Full SiC DIPIPM
Dual-in-line Package Intelligent Power Modules mit SiC-MOSFETs
Full SIC DIP ist ein ultrakleines, kompaktes, transfergegossenes intelligentes Leistungsmodul mit SiC-MOSFET-Chip, der nächsten Generation hocheffizienter Leistungschips. Leistungschips, Antriebs- und Schutzschaltungen sind in das Modul mit Transfer-Molding-Harz integriert.
- Integrierter neu entwickelter SiC-MOSFET zur Verbesserung der Effizienz
- Keine negative Vorspannung durch Einbau eines MOSFET mit hoher Schwellenspannung
- Einzelne DC 18V Spannungsversorgung mit Bootstrappingschema.
- Sicherer Betrieb des SiC MOSFET durch Schutzfunktionen.
- Einfacher Austausch von konventionellen V.6 aufgrund von Pin- und Funktionskompatibilität.
Mitsubishi Electric ist Technologieführer im Bereich der IGBT-Module - mittlerweile in der 7. Generation - und Intelligenten Power-Module (IPM). Der kompakte Aufbau bietet gerade für raue Umgebungsbedingungen wie in der Antriebstechnik deutliche Vorteile.
