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NX-Gehäuse (S-Serie, S1-Serie, SA-Serie)
6. Generation IGBT Module im 17-mm-Gehäuse
- 6. Generation IGBT mit CSTBT(TM) Chip Technologie
- Hilfs- C-Terminal verfügbar für N-side IGBT
- Sehr guter thermischer Übergang durch AlN Isolations-Substrat
- Für 1200V Module: V(CEsat) (Chip) = 1,7V (typ) @ T(j) = 25°C; große SOA @ V(cc) = 850V
- Für 1700V Module: V(CEsat) (Chip) = 2,1V (typ) @ T(j) = 25°C; große SOA @ V(cc) = 1200V
- Mehr als 10(us) Kurzschlussfestigkeit und sehr gutes Verhalten bei Parallelschaltung
- Neuer Freilaufdioden - Chip mit optimierten Trade-Off zwischen V(F) und E(rr)
- Tj(max) = 175°C
- Reduzierte Verlustleistung
- Reduziertes Rauschen
- Niedrige Durchlassspannung
- Nur noch 17 mm Bauhöhe (neuer Industriestandard)
- Verbesserte Figure Of Merit (FOM)
Mitsubishi Electric ist Technologieführer im Bereich der IGBT-Module - mittlerweile in der 7. Generation - und Intelligenten Power-Module (IPM). Der kompakte Aufbau bietet gerade für raue Umgebungsbedingungen wie in der Antriebstechnik deutliche Vorteile.
