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TP90H050WS
900V, 50mOhm, TO-247
· JEDEC qualifiziert
· schnelles Schalten durch hohe Elektronenbeweglichkeit
· höherer Wirkungsgrad: bis zu 50% geringere Verluste
· Einfache Ansteuerung mit Std-MOSFET Treiber. Schutz des Gates durch Spannungsreserve des GaN-FET
· höchste Zuverlässigkeit
· robust: hohe Transienten-Überspannungsfestigkeit
· ideal für Totem-Pole PFC
· sehr niedrige Qrr (Reverse Recovery Charge)
· schnelles Schalten durch hohe Elektronenbeweglichkeit
· höherer Wirkungsgrad: bis zu 50% geringere Verluste
· Einfache Ansteuerung mit Std-MOSFET Treiber. Schutz des Gates durch Spannungsreserve des GaN-FET
· höchste Zuverlässigkeit
· robust: hohe Transienten-Überspannungsfestigkeit
· ideal für Totem-Pole PFC
· sehr niedrige Qrr (Reverse Recovery Charge)
Vds min:
900 V
Rds(on)eff typ:
50 mOhm
Rds(on)eff max:
63 mOhm
Id (25°C) max:
3,6 A
Id (100°C) max:
2,3 A
Qrr typ:
156 nC
Qg typ:
15 nC
Gehäuse:
TO-247
Tab config:
Source
Tcase:
-55...+150°C
Herstellerzertifizierung:
JEDEC
Evalboard verfügbar:
-
Der Experte in Sachen GaN-Halbleiter und besonders GaN-FET-Schalter. Diese neue Technologie eignet sich besonders für hohe Schaltfrequenzen. Sie bietet deutlich geringere Verluste und ermöglicht dadurch kompaktere Geräte und bessere Wirkungsgrade.
- Entwickler haben über 300 Mannjahre Erfahrung mit GaN für HF- und LED-Anwendungen seit 2000, über 340 eigene Patente
- Führend bei GaN-Schaltern mit Sperrspannungen von 650 V und darüber
- Umfassendes Portfolio, > 12 Milliarden Betriebsstunden und < 1 Ausfall pro Milliarde Stunden im Feld
- Erste JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierte 650-V-Bauteile auf dem Markt verfügbar
- Eigene GaN-Wafer-Fab
Zu allen Transphorm-Produkten gibt es:
- Applikationsunterstützung
- SPICE Modelle
- Entwicklungskits
