Der Experte in Sachen GaN-Halbleiter und besonders GaN-FET-Schalter. Diese neue Technologie eignet sich besonders für hohe Schaltfrequenzen. Sie bietet deutlich geringere Verluste und ermöglicht dadurch kompaktere Geräte und bessere Wirkungsgrade.

• Entwickler haben über 300 Mannjahre Erfahrung mit GaN für HF- und LED-Anwendungen seit 2000, über 340 eigene Patente
• Führend bei GaN-Schaltern mit Sperrspannungen von 650 V und darüber
• Umfassendes Portfolio,  > 12 Milliarden Betriebsstunden und < 1 Ausfall pro Milliarde Stunden im Feld
• Erste JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierte 650-V-Bauteile auf dem Markt verfügbar
• Eigene GaN-Wafer-Fab

Zu allen Transphorm-Produkten gibt es:

• Applikationsunterstützung 
• SPICE Modelle
• Entwicklungskits