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TDHB-65H070L-DC
Evalboard, 1,2kW half-bridge DC/DC
Das TDHBG1200DC100 Halbbrücken-Evaluierungsboard enthält die Elemente eines einfachen Abwärts- oder Aufwärtswandlers, der die Transphorm-Tochterkarte TDHB-65H070L-DC zur grundlegenden Untersuchung der Schalteigenschaften und des Wirkungsgrads verwendet, die mit den 650-V-GaN-FETs von Transphorm im 8x8-PQFN-Standardgehäuse erreicht werden können. Die Schaltung kann entweder im Buck- oder Boost-Modus für synchrone Gleichrichtung konfiguriert werden. Jumper ermöglichen die Verwendung eines einzigen Logikeingangs oder separater Hi/Lo-Eingänge. Der Hochspannungseingang und -ausgang kann mit bis zu 400Vdc betrieben werden, mit einer Ausgangsleistung von bis zu 1,2kW. Die mitgelieferte Drosselspule ist für einen effizienten Betrieb bei 100kHz vorgesehen, obwohl auch andere Drosseln und andere Frequenzen problemlos verwendet werden können.
- Daughter Board mit GaN Fets als Halbbrücke bestückt mit TP65H070L GaN-FETs
- wird eingesetzt in Evalboard 1,2W DC/DC Syncronous Buck oder Boost Demo-Plattform TDHBG1200DC100-KIT
- Demoboard nur für Evaluierungszwecke!
Der Experte in Sachen GaN-Halbleiter und besonders GaN-FET-Schalter. Diese neue Technologie eignet sich besonders für hohe Schaltfrequenzen. Sie bietet deutlich geringere Verluste und ermöglicht dadurch kompaktere Geräte und bessere Wirkungsgrade.
- Entwickler haben über 300 Mannjahre Erfahrung mit GaN für HF- und LED-Anwendungen seit 2000, über 340 eigene Patente
- Führend bei GaN-Schaltern mit Sperrspannungen von 650 V und darüber
- Umfassendes Portfolio, > 12 Milliarden Betriebsstunden und < 1 Ausfall pro Milliarde Stunden im Feld
- Erste JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierte 650-V-Bauteile auf dem Markt verfügbar
- Eigene GaN-Wafer-Fab
Zu allen Transphorm-Produkten gibt es:
- Applikationsunterstützung
- SPICE Modelle
- Entwicklungskits
