Neue Technologien wie GaN- Wide Band Gap-Halbleiter faszinieren mit guten Leistungsdaten wie höheren Wirkungsgraden und Schaltfrequenzen. Doch wenn es um den Einsatz in sicherheitsrelevanten Umgebungen geht oder solchen, wo ein Ausfall hohe Kosten verursacht, geht der Entwickler lieber auf Nummer Sicher und bleibt bei älteren, erprobten Lösungen. Dies ist nicht mehr notwendig: GaN ist erwachsen geworden.

Die Vorteile von Leistungs-FETs auf der Basis von Galliumnitrid (GaN) mit großer Bandlücke (Wide Band Gap – WBG) sind so bedeutend, dass diese Bauelemente in anspruchsvollen Anwendungen wie beispielsweise Stromversorgungs-Subsystemen in Kraftfahrzeugen oder Stromversorgungen von Datenzentren eine immer wichtigere Rolle spielen. Dabei handelt es sich um Anwendungen mit schwierigen Betriebsbedingungen, bei denen Ausfälle aufgrund von Garantiekosten und Gefahren bei Kraftfahrzeugen oder der hohen Kosten für Ausfälle von Rechenzentren nicht toleriert werden können.

Sie können den kompletten Fachartikel als PDF downloaden: