GaN-FETs
Sowohl im Schaltnetzteil als auch in der Leistungselektronik entsteht ein Großteil der Verluste im Leistungsschalter. Um Schaltverluste und Durchlassverluste der Leistungsschalter zu verringern, werden die Technologien für den Aufbau der Schalter weiterentwickelt. Diese neue Technologie eignet sich besonders für hohe Schaltfrequenzen. Sie bietet deutlich geringere Verluste und ermöglicht dadurch kompaktere Geräte und bessere Wirkungsgrade.
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